太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述基板。

主权项

一种太阳能电池，该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；第一钝化层，其位于所述基板和所述第一场区之间；防反射层，其位于所述第一场区上；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第二钝化层，其位于所述基板的所述非入射表面上；第二场区，所述第二场区与所述射极区隔开地位于所述基板的所述非入射表面，所述第二场区具有与所述第一场区相同的导电类型；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述第二场区，其中，所述第一场区中包含的所述第二杂质的浓度高于所述基板中包含的所述第一杂质的浓度，所述第一场区具有1nm到20nm的厚度，所述第一钝化层具有2nm到20nm的厚度，所述第二钝化层包括：位于所述基板和所述射极区之间以及位于所述基板和所述第二场区之间的第一背面钝化层，和在所述射极区和所述第二场区之间位于所述基板的背面上的第二背面钝化层，所述第一背面钝化层由非晶硅形成，并且所述第二背面钝化层由氧化硅SiOx和氮化硅SiNx中的至少一个形成。