发明名称 |
一种氮化硅膜材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种硅氮化合物膜材料及其制备方法:将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,通入NH<sub>3</sub>气体和SiH<sub>4</sub>气体作为反应气体,通入氩气作为载体和保护气体,进行气相沉积,获得氮化硅膜材料;其中,控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为50~80℃,工作压力为3~5Pa,功率为390~460W;其中,所述气相沉积的时间为5~7min;所述SiH<sub>4</sub>气体与NH<sub>3</sub>气体的体积比为14~18,SiH<sub>4</sub>气体与氩气的体积比为0.5~5。本发明在四英寸硅基体上制备得到的硅氮化合物膜材料的厚度为107-110nm,薄膜不均匀性小于1.0%。 |
申请公布号 |
CN104120403A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201410354051.4 |
申请日期 |
2014.07.23 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
宋志伟;褚卫国 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
巩克栋;杨晞 |
主权项 |
一种氮化硅膜材料,其特征在于,所述氮化硅膜材料的厚度为107‑110nm;且在四英寸基底范围内,薄膜不均匀性低于1.0%;其中,所述不均匀性的计算方法为:薄膜不均匀性=(最大值‑最小值)/(平均值×2)×100%,四英寸基底范围内,所测不同点数不少于17个。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北一条11号 |