发明名称 |
薄型功率器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明一般涉及一种功率器件,尤其是涉及超薄型的功率器件及其制备方法,包括一基板,和贯穿基板厚度的开口,开口对准第二套接触焊盘中的没有与第一套接触焊盘中任何接触焊盘进行电性连接的一个接触焊盘,一个芯片被安装在开口中的,多个导电结构将芯片正面的多个电极分别相对应的电性连接到第一套接触焊盘中的多个接触焊盘上。 |
申请公布号 |
CN104124221A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201310143571.6 |
申请日期 |
2013.04.23 |
申请人 |
万国半导体(开曼)股份有限公司 |
发明人 |
龚玉平;薛彦迅;鲁明朕;黄平;鲁军;哈姆扎·耶尔马兹 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种薄型功率器件,其特征在于,包括:一基板,及设置在基板正面的第一套接触焊盘和设置在基板背面的第二套接触焊盘,第一套接触焊盘中的多个接触焊盘分别相对应的与第二套接触焊盘中的一部分接触焊盘电性连接;一贯穿基板厚度的开口,所述开口对准第二套接触焊盘中的没有与第一套接触焊盘中任何接触焊盘进行电性连接的一个接触焊盘,并从开口中暴露出该接触焊盘的局部区域;一嵌入在所述开口中的芯片,所述芯片背面的背部金属层粘附在第二套接触焊盘中的暴露于所述开口中的接触焊盘上;多个导电结构,将芯片正面的多个电极分别相对应的电性连接到第一套接触焊盘中的多个接触焊盘上。 |
地址 |
英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛玛丽街122号P.O.709邮箱 |