发明名称 图形化方法
摘要 一种图形化方法,包括:提供基底;在所述基底上由下至上依次形成待刻蚀层、硬质掩膜层;在硬质掩膜层上形成掩膜层,所述掩膜层内具有窗口图形,且所述掩膜层包括至少两个图案区,各个图案区掩膜层内的窗口图形尺寸不同,与各个图案区对应的硬质掩膜层的厚度由该图案区中的窗口图形尺寸决定,窗口图形尺寸越大,硬质掩膜层厚度越厚;以所述掩膜层为掩膜,沿窗口图形对所述硬质掩膜层、待刻蚀层进行刻蚀,在所述待刻蚀层中形成关键尺寸均一的开口。本方法可以实现对所述待刻蚀层的精确刻蚀,得到精确关键尺寸,有效解决了现有技术中由于单一图案区和密集图案区带来的关键尺寸偏差问题。
申请公布号 CN104124138A 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201310157874.3 申请日期 2013.04.28
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 王新鹏
分类号 H01L21/033(2006.01)I 主分类号 H01L21/033(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种图形化方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上由下至上依次形成待刻蚀层、硬质掩膜层;在硬质掩膜层上形成掩膜层,所述掩膜层内具有窗口图形,且所述掩膜层包括至少两个图案区,各个图案区掩膜层内的窗口图形尺寸不同,与各个图案区对应的硬质掩膜层的厚度由该图案区中的窗口图形尺寸决定,窗口图形尺寸越大,硬质掩膜层厚度越厚;以所述掩膜层为掩膜,沿窗口图形对所述硬质掩膜层、待刻蚀层进行刻蚀,在所述待刻蚀层中形成关键尺寸均一的开口。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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