一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法，该闪存单元包括：衬底；于衬底表面之下通过注入形成的共源区和漏区；于共源区与漏区之间的衬底表面形成的沟道区；形成于沟道区之上的隧穿层；形成于隧穿层之上的存储层；形成于存储层之上的阻挡层；以及形成于阻挡层之上的栅电极；其中，该共源区形成过程中首先采用外延工艺实现共源区域的抬升，随后通过在浅槽隔离区下方和闪存单元的共源区进行离子注入形成浅槽隔离区下方与共享源区低阻连接。本发明通过引入外延工艺在实现共源区抬升的同时完成了浅槽隔离区沿沟宽方向上有源区的扩展，有效拟制了传统NOR型闪存器件尺寸缩小过程中的穿通效应，实现NOR型器件沿沟长方向的进一步按比例缩小。

主权项

一种抬升共源区的NOR型闪存单元，其特征在于，包括：衬底；于衬底表面之下通过注入形成的共源区和漏区；于共源区与漏区之间的衬底表面形成的沟道区；形成于沟道区之上的隧穿层；形成于隧穿层之上的存储层；形成于存储层之上的阻挡层；以及形成于阻挡层之上的栅电极；其中，该共源区形成过程中首先采用外延工艺实现共源区域的抬升，随后通过在浅槽隔离区下方和闪存单元的共源区进行离子注入形成浅槽隔离区下方与共享源区低阻连接。