发明名称 一种用于SiC/GaN MOS管的驱动测试装置
摘要 本实用新型涉及一种用于SiC/GaN MOS管的驱动测试装置,包括第一电阻选择模块、二极管模块、第二电阻选择模块、电阻选择控制模块、人机交互模块、驱动信号输出端、MOS管,第一电阻选择模块的输入端与第二电阻选择模块的输入端相连接至驱动信号输出端,第一电阻选择模块的输出端接至二极管模块的输入端,第二电阻选择模块的输出端与二极管模块的输出端相连接至MOS管的控制端,电阻选择控制模块的输入端接至人机交互模块的输出端,电阻选择控制模块的第一输出端接至第一电阻选择模块的控制端,电阻选择控制模块的第二输出端接至第二电阻选择模块控制端。该装置具有操作方便、通用性强、效率高的优点。
申请公布号 CN203909231U 申请公布日期 2014.10.29
申请号 CN201420353997.4 申请日期 2014.06.30
申请人 厦门科华恒盛股份有限公司 发明人 曾奕彰;曾春保;王定富;钟伟龙
分类号 G01R31/26(2014.01)I 主分类号 G01R31/26(2014.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种用于SiC/GaN MOS管的驱动测试装置,包括一驱动信号输出端和一MOS管,其特征在于:还包括一第一电阻选择模块、一二极管模块、一第二电阻选择模块和一电阻选择控制模块;所述第一电阻选择模块的输入端与所述第二电阻选择模块的输入端相连接至所述驱动信号输出端,所述第一电阻选择模块的输出端接至所述二极管模块的输入端,所述第二电阻选择模块的输出端与所述二极管模块的输出端相连接至所述MOS管的控制端,所述电阻选择控制模块的第一输出端接至所述第一电阻选择模块的控制端,所述电阻选择控制模块的第二输出端接至所述第二电阻选择模块的控制端。
地址 361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园马垄路457号
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