| 发明名称 | 集成电路布局 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路布局，包含：VDD硅穿孔(VDD TSV)，用以耦合正操作电压(VDD TSV)；讯号硅穿孔(讯号TSV)用以耦合操作讯号；复数VSS硅穿孔，位于该VDD TSV与该讯号TSV附近且用以耦合操作电压VSS；及一或多个重分布联机(RDL)，将该复数VSS硅穿孔连接在一起并形成围绕该VDD硅穿孔与该讯号硅穿孔的类网状散热结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104124241A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310156761.1 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 艾芬维顾问股份有限公司 | 发明人 | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种集成电路布局，包含：VDD硅穿孔(VDD TSV)，用以耦合正操作电压(VDD TSV)；讯号硅穿孔(讯号TSV)用以耦合操作讯号；复数VSS硅穿孔，位于该VDD TSV与该讯号TSV附近且用以耦合操作电压VSS；及一或多个重分布联机(RDL)，将该复数VSS硅穿孔连接在一起并形成围绕该VDD硅穿孔与该讯号硅穿孔的类网状散热结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市香山区芝柏三街52号 | ||