| 发明名称 | 沟槽隔离结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有开口；在所述开口的侧壁表面形成第一绝缘衬垫层；在所述开口的底部表面形成第二绝缘衬垫层；在形成第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层之后，进行表面处理工艺，使所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面具有氢氧键，且所述第二绝缘衬垫层表面的氢氧键密度大于第一绝缘衬垫层表面的氢氧键密度；在表面处理工艺之后，在所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面形成填充满所述开口的绝缘层。所形成的浅沟槽隔离结构内无空隙、质量好。 | ||
| 申请公布号 | CN104124195A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310158820.9 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有开口；在所述开口的侧壁表面形成第一绝缘衬垫层；在所述开口的底部表面形成第二绝缘衬垫层；在形成第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层之后，进行表面处理工艺，使所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面具有氢氧键，且所述第二绝缘衬垫层表面的氢氧键密度大于第一绝缘衬垫层表面的氢氧键密度；在表面处理工艺之后，在所述开口内的第一绝缘衬垫层和第二绝缘衬垫层表面形成填充满所述开口的绝缘层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||