基于电荷陷阱的存储器

摘要

本发明涉及基于电荷陷阱的存储器。本发明描述制作3D电荷陷阱存储器单元的方法连同包含所述3D电荷陷阱存储器单元的设备及系统。在由导电及绝缘材料交替层形成的平面堆叠中，可形成大致垂直开口。在所述垂直开口内侧，可形成包括第一层、电荷陷阱层、穿隧氧化物层及外延硅部分的大致垂直结构。本发明还描述额外实施例。

主权项

一种存储器装置，其包括：大致垂直结构，所述大致垂直结构至少包括电介质、电荷陷阱、穿隧氧化物及硅部分，所述大致垂直结构在开口内形成，所述开口在平面堆叠中形成，所述平面堆叠包括导电材料及绝缘材料的交替层，其中所述电荷陷阱与所述硅部分的一部分直接接触。