发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
摘要 | 公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括:包括多个化合物半导体层的发光结构,在发光结构外部的钝化层,在发光结构上的第一电极层,和在发光结构下的第二电极层。 | ||
申请公布号 | CN101939860B | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
申请号 | CN200980104751.5 | 申请日期 | 2009.10.16 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
分类号 | H01L33/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
主权项 | 一种半导体发光器件,包括:包括多个化合物半导体层的发光结构;在所述发光结构外部的钝化层;在所述发光结构上的第一电极层;和在所述发光结构下的第二电极层,其中所述第一电极层和所述第二电极层中的至少之一包括用于暴露出所述发光结构的开口部,并且其中所述第一电极层和所述第二电极层的尺寸均大于所述发光结构的尺寸。 | ||
地址 | 韩国首尔 |