結晶化法

摘要

アモルファス半導体層、又は小さな結晶を有する半導体層を有する基板を処理して、基板内に大きな結晶を形成する装置及び方法が記述される。基板の処理エリアが識別され、処理エリアにパルスエネルギーを送達する段階的融解プロセスを用いて融解される。その後、そのエリアにパルスエネルギーを送達する段階的結晶化プロセスを用いて、処理エリアが再結晶化される。段階的結晶化プロセス中に送達されるパルスエネルギーは、融解した材料が凝固するにつれて、小さな結晶を大きな結晶に変換するように選択される。【選択図】図１