| 摘要 |
<p>本発明の実施例は、不揮発性のメモリデバイス及び不揮発性のメモリデバイスの製造方法に関する。ＲｅＲＡＭセルといった改良型メモリデバイスを形成するための方法は、金属酸化物バルク層に又はその上に配置される金属酸化物緩衝層を有する金属酸化物膜積層体を形成するための、最適な原子層蒸着（ＡＬＤ）プロセスを提供する。金属酸化物バルク層は、金属リッチ酸化物材料を含んでおり、金属酸化物緩衝層は、金属プア酸化物材料を含む。金属酸化物バルク層は、金属酸化物緩衝層よりも酸化されておらず又はより金属的であるため、金属酸化物バルク層は、金属酸化物緩衝層よりも電気抵抗が小さい。一例では、金属酸化物バルク層は、金属リッチハフニウム酸化物材料を含んでおり、金属酸化物緩衝層は、金属プアジルコニウム酸化物材料を含む。【選択図】図１</p> |
