| 发明名称 | 采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法，包括：形成第一类型MOS的高K介质/金属栅(HKMG)；形成并金属化第一类型MOS和第二类型MOS的源漏极的下接触孔，同时形成第二类型MOS的HKMG，其中所述源漏极下接触孔中填充有与第二类型MOS的金属栅所用相同的材料；形成并金属化第一类型和第二类型MOS的金属栅的接触孔以及源漏极上接触孔，其中源漏极上接触孔与源漏极下接触孔对准。该方法降低了接触孔刻蚀及金属淀积的难度，简化了工艺步骤，并且使器件的可靠性提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102468221B | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201010542475.5 | 申请日期 | 2010.11.11 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 闫江 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;王洪斌 |
| 主权项 | 一种采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法，包括：形成第一类型MOS的高K介质/金属栅HKMG；形成并金属化第一类型MOS和第二类型MOS的源漏极的下接触孔，同时形成第二类型MOS的HKMG，其中所述源漏极下接触孔由与第二类型MOS的金属栅相同的材料组成；形成并金属化第一类型和第二类型MOS的金属栅的接触孔以及源漏极上接触孔，其中源漏极上接触孔与源漏极下接触孔对准；并且其中，所述第一类型MOS与第二类型MOS类型相反。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||