| 发明名称 | 一种生长在金属Al衬底上的LED外延片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种生长在金属Al衬底上的LED外延片，其包括金属Al衬底、以金属Al衬底(111)晶面为外延面，在金属Al衬底上生长的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层，以及以晶体外延取向关系为GaN(0001)//Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(0001)//Al(111)，在Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层上由下自上生长的U-GaN薄膜层、N-GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层、p型GaN薄膜。本实用新型通过选择合适的晶体取向，Al(111)衬底上获得的高质量GaN外延薄膜，以提高了LED的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN203895485U | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
| 申请号 | CN201420289063.9 | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 发明人 | 李国强 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人 | 汤喜友 |
| 主权项 | 一种生长在金属Al衬底上的LED外延片，其特征在于：其包括金属Al衬底、以金属Al衬底(111)晶面为外延面，在金属Al衬底上生长的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层，以及以晶体外延取向关系为GaN(0001)//Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(0001)//Al(111)，在Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层上由下自上生长的U‑GaN薄膜层、N‑GaN薄膜层、InGaN/GaN多量子阱层、p型GaN薄膜。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房 | ||