发明名称 用于读出放大器的可数字控制延迟
摘要 本发明揭示在读取磁性随机存取存储器(MRAM)装置时插入可选择延迟的电路、设备及方法。一种电路包括:读出放大器(160),其具有第一输入(162)、第二输入(164)及启用输入(166);第一放大器(132),其耦合到基于磁阻的存储器单元(112)的输出;第二放大器(134),其耦合到所述单元的参考输出;及可数字控制放大器(136),其耦合到类似于所述MRAM的所述单元的追踪电路单元(116)。所述读出放大器的所述第一输入耦合到所述第一放大器,所述读出放大器的所述第二输入耦合到所述第二放大器,且所述启用输入经由逻辑电路(150)耦合到所述第三可数字控制放大器。一旦所述读出放大器经由所述逻辑电路从所述可数字控制放大器接收到启用信号(152),所述读出放大器随即可基于从所述基于磁阻的存储器单元的所述输出及参考单元接收的经放大值而产生输出值。
申请公布号 CN102227776B 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN200980147666.7 申请日期 2009.12.07
申请人 高通股份有限公司 发明人 朴东奎;阿诺什·B·达维埃尔瓦拉;钟成;穆罕默德·哈桑·索利曼·阿布-拉赫马;杨赛森
分类号 G11C7/06(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I 主分类号 G11C7/06(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种用于与基于磁阻的存储器一起使用的电路,所述电路包含:读出放大器,其具有第一输入、第二输入及启用输入;第一放大器,其耦合到所述基于磁阻的存储器的单元的输出;第二放大器,其耦合到所述单元的所述输出的参考;以及第三可数字控制追踪放大器,其耦合到追踪电路单元,所述追踪电路单元包括类似于所述基于磁阻的存储器的所述单元的至少一个元件;其中所述第三可数字控制追踪放大器包括耦合到所述读出放大器的所述启用输入的可控制延迟电路,且所述可控制延迟电路经配置以接收数字控制信号,从而基于所接收的数字控制信号来控制所述第三可数字控制追踪放大器的输出的时序;其中所述第一输入耦合到所述第一放大器,所述第二输入耦合到所述第二放大器,且所述启用输入经由逻辑电路耦合到所述第三可数字控制追踪放大器,其中所述可控制延迟电路包括与所述第三可数字控制追踪放大器操作性耦合的多个箝位晶体管,所述多个箝位晶体管中的每一箝位晶体管对所述数字控制信号中所包括的多个位中的一者进行响应以延迟所述第三可数字控制追踪放大器的所述输出。
地址 美国加利福尼亚州
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