一种ESD保护及抗EMI集成滤波器的制造方法

摘要

本发明提供了一种ESD保护及抗EMI集成滤波器的制造方法。通过将齐纳二极管（D）、电阻（R）和电容(C)集成在一个器件中，能够为便携式电子系统的各种I/O端口提供ESD保护及抗EMI的单片器件解决方案，避免了采用传统分立器件带来的体积大、重量重、保护电压不稳定等问题。另外在工艺中采用离子注入法来制作次表面齐纳二极管，避免了采用传统半导体工艺制作的齐纳二极管热稳定性差、反向击穿电压精度不高以及输出噪声电压较大等问题。

主权项

一种ESD保护及抗EMI集成滤波器的制造方法，其特征在于，包括：提供N型硅片；在所述N型硅片上通过离子注入技术制造次表面击穿齐纳二极管；在所述N型硅片上依次淀积SiO₂层和Si₃N₄层，并通过光刻、腐蚀工艺制造出电容的介质层。在所述N型硅片上淀积多晶硅并进行三氯氧磷掺杂工艺；在所述N型硅片上通过光刻、腐蚀工艺制作出电阻和电容一极板；利用N+衬底作为电容另一极板。