一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构

摘要

本实用新型属于半导体器件技术领域，公开了一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；LDMOS的栅极端与栅指单元相连，漏极端与漏指单元相连；漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；栅指单元包括：多个栅指基底以及其延伸结构，用于管脚连接的管脚连接件；管脚连接件呈梳齿形；呈梳齿形的管脚连接件顶端与栅指基底相连，且连接点位于呈梳齿形的管脚连接件的顶部中心位置；管脚连接件的梳齿状延伸结构与LDMOS的栅极端相连；漏端延伸结构与LDMOS的漏极端相连。本实用新型通过对称设置的栅指单元降低寄生电感电阻的影响，改善电压分布；同时优化信号相位同步率，提高芯片效率。

主权项

一种射频横向扩散金属氧化物半导体版图结构，包括：栅指单元、漏指单元以及横向扩散金属氧化物半导体LDMOS；所述LDMOS的栅极端与所述栅指单元相连，漏极端与所述漏指单元相连；其特征在于，所述漏指单元包括：漏指基底以及用于管脚连接的漏端延伸结构；所述漏端延伸结构为漏指基底的梳齿状延伸结构；所述栅指单元包括：多个栅指基底及各栅指基底的延伸结构；所述栅指基底的延伸结构为用于管脚连接的管脚连接件；所述管脚连接件呈梳齿形；所述呈梳齿形的管脚连接件顶端与所述栅指基底相连，且连接点位于所述呈梳齿形的管脚连接件的顶部中心位置；所述管脚连接件的梳齿状延伸结构与所述LDMOS的栅极端相连；所述漏端延伸结构与所述LDMOS的漏极端相连。