发明名称 |
一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法 |
摘要 |
一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法,涉及纳米材料制备技术领域。是为了实现了非晶二氧化硅纳米管的少耗时、少污染的低成本制备。其方法:首先将单晶硅片衬底清洗干净并烘干,利用离子溅射仪在硅片表面溅射一层金膜作为催化剂,然后将承载硫化锌粉末和硅衬底的刚玉舟放到水平管式炉中,密封管式炉,通入高纯惰性气体作为载气,冲洗掉生长室内的残余空气;最后将惰性气体流速控制在30sccm~300sccm,生长室内压强保持在80Pa~1000Pa,使管式炉升温至合成温度1100℃~1200℃,并保持恒温0.2~1小时,反应结束后使管式炉自然冷却至室温。本发明适用于制备非晶二氧化硅纳米管。 |
申请公布号 |
CN104108719A |
申请公布日期 |
2014.10.22 |
申请号 |
CN201410356485.8 |
申请日期 |
2014.07.24 |
申请人 |
黑龙江科技大学 |
发明人 |
武立立;张喜田;孙道彬;啜慧心 |
分类号 |
C01B33/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B33/12(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法,其特征是:它由以下步骤实现:步骤一、将单晶硅片衬底清洗干净并烘干,利用离子溅射仪在硅片表面溅射一层厚度为2nm~6nm的金膜作为催化剂,为纳米材料的生长提供成核点;步骤二、将承载硫化锌粉末和硅衬底的刚玉舟放到水平管式炉中,使硫化锌位于水平管式炉的高温区中心,硅衬底处于硫化锌下游10cm~30cm的位置,密封管式炉,通入高纯惰性气体作为载气,冲洗掉生长室内的残余空气;步骤三、将惰性气体流速控制在30sccm‑300sccm,生长室内压强保持在80Pa~1000Pa,使管式炉升温至合成温度1100℃~1200℃,并保持恒温0.2小时~1小时,反应结束后使管式炉自然冷却至室温,取出合成产物即为本发明的二氧化硅纳米管。 |
地址 |
150027 黑龙江省哈尔滨市松北区浦源路2468号 |