发明名称 | 半导体装置的制造方法及焊接用压块 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及用于该制造方法的焊接用压块,其在制造功率半导体模块的焊接工序中,抑制在接合面的熔融焊锡中产生厚度不均及空隙,并且即使在焊接构件上配置有布线等上部结构物,上部结构物与焊接用压块也互不干扰而使稳定的焊接成为可能。在因基材的翘曲而在基材接合面上出现高度差时,重心从压块主体的中心偏移,使用只在压块主体的与焊接物面对的一侧的边缘部配置有腿的焊接用压块,在基材主面的预定范围的边缘部中因翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置阻隔材料,并且以使重心位于因翘曲而高度相对变低的一侧的方式将压块载置于焊接物上,然后实施使焊锡熔融的升温处理。 | ||
申请公布号 | CN104112677A | 申请公布日期 | 2014.10.22 |
申请号 | CN201410150243.3 | 申请日期 | 2014.04.15 |
申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 佐野真二;西泽龙男 |
分类号 | H01L21/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/52(2006.01)I |
代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;金玉兰 |
主权项 | 一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包含:准备:焊锡;焊接物;基材,其在所述焊锡的熔点以上的温度下,在主面具有因翘曲引起的高度差;压块,其使重心从所述焊接物的中心偏移,而只在与所述焊接物面对的一侧的边缘部具有腿;定位夹具,其具有用于将所述焊接物保持在所述基材主面的预定范围内的孔;阻隔材料,其可堵住熔融的所述焊锡;在所述基材主面的预定范围的边缘部中因所述翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置所述阻隔材料的工序;在所述基材的主面载置所述定位夹具的工序;在所述孔中重叠载置所述焊锡与所述焊接物的工序;以使所述重心位于因所述翘曲而高度相对变低的一侧的方式将所述压块载置于所述焊接物的上表面的工序;以及将温度升高至所述焊锡熔点以上的温度的工序。 | ||
地址 | 日本神奈川县川崎市 |