ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜

摘要

本发明涉及一种ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜，上述ITO薄膜的制备方法包括提供衬底及在还原性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述还原性气体选自氢气、水蒸气及一氧化碳中的一种，或选自氩气和氢气的混合气体、氩气和水蒸气的混合物气体及氩气和一氧化碳的混合物气体中的一种的步骤。该方法在还原性气体氛围中制备ITO薄膜，生成In、Sn氧化物饱和态和不饱和态共存的固溶体的多晶体薄膜，控制ITO薄膜向有利于提高表面粗糙度的方向生长，实现提高ITO薄膜的表面粗糙度的目的。

主权项

一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在还原性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述还原性气体选自氢气、水蒸气及一氧化碳中的一种，或选自氩气和氢气的混合气体、氩气和水蒸气的混合物气体及氩气和一氧化碳的混合物气体中的一种。