发明名称 |
反熔丝 |
摘要 |
一种反熔丝(40、80、90′)包括具有间隔开的弯曲部分(55、56)的第一(22′、24′)和第二(26′)导电区,以及第一电介质区(44)位于其之间,与所述弯曲部分(55、56)相结合地形成弯曲的击穿区(47),所述弯曲的击穿区(47)适于响应预定施加的编程电压而从基本上非导电状态切换到基本上导电状态。比编程电压低的感测电压用于确定反熔丝的状态是断开(高阻抗)还是接通(低阻抗)。期望,提供与击穿区(47)相邻的浅沟道隔离(STI)区(42)以抑制在编程期间热从击穿区(47)损耗。与利用基本上平面的电介质区(32)的反熔丝(30)相比,观察到较低的编程电压和电流。在又一实施例中,将电阻区(922)插入到具有平面(37)或弯曲(47)击穿区的反熔丝(90、90′)的一个引线(92、92′)中,以改善后编程感测可靠性。 |
申请公布号 |
CN102334185B |
申请公布日期 |
2014.10.22 |
申请号 |
CN201080009454.5 |
申请日期 |
2010.02.02 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
闵元基;杰夫雷·W·珀金斯;凯尔·D·茹科夫斯基;左将凯 |
分类号 |
H01L23/62(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/62(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李佳;穆德骏 |
主权项 |
一种反熔丝,包括:第一导电区和第二导电区,所述第一导电区和第二导电区具有间隔开的弯曲部分;以及第一电介质区,所述第一电介质区分离所述间隔开的弯曲部分,从而与所述弯曲部分相结合地形成弯曲的击穿区,所述弯曲的击穿区适于响应于预定施加的编程电压而从非导电状态切换到导电状态,还包括第二电介质区,其中所述第一电介质区在所述第二电介质区上方并且与所述第二电介质区接触,所述第二电介质区形成在所述第一电介质区的部分之间以及在所述第二电介质区下方的沟槽隔离区。 |
地址 |
美国得克萨斯 |