| 发明名称 |
薄膜晶体管及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种薄膜晶体管，包括：一绝缘层，该绝缘层具有相对的第一表面和第二表面；一栅极设置于所述绝缘层的第一表面；一半导体层、一源极和一漏极设置在所述绝缘层的第二表面，该源极和该漏极相互间隔设置且分别与所述半导体层电接触，其中，所述栅极、所述源极和所述漏极均由一第一单壁碳纳米管层组成，该第一单壁碳纳米管层的薄膜电阻小于等于10kΩ/□，所述半导体层由一第二单壁碳纳米管层组成，该第二单壁碳纳米管层的薄膜电阻大于等于100kΩ/□。本发明还提供所述薄膜晶体管的制备方法。 |
| 申请公布号 |
CN104112777A |
申请公布日期 |
2014.10.22 |
| 申请号 |
CN201310130609.6 |
申请日期 |
2013.04.16 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
邹渊;李群庆;范守善 |
| 分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种薄膜晶体管，包括：一绝缘层，该绝缘层具有相对的第一表面和第二表面；一栅极设置于所述绝缘层的第一表面；一半导体层、一源极和一漏极设置在所述绝缘层的第二表面，该源极和该漏极相互间隔设置且分别与所述半导体层电接触，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极均由一第一单壁碳纳米管层组成，该第一单壁碳纳米管层的薄膜电阻小于等于10kΩ/□，所述半导体层由一第二单壁碳纳米管层组成，该第二单壁碳纳米管层的薄膜电阻大于等于100kΩ/□。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
