非挥发性半导体记忆体电晶体，及非挥发性半导体记忆体之制造方法

摘要

本发明系提供一种可增大浮游-控制闸极间的电容之使用岛状半导体之非挥发性半导体记忆体电晶体。;非挥发性半导体记忆体电晶体系具备：岛状半导体(301)，从Si基板侧依序形成有源极区域(303)、通道区域(304)及汲极区域(302)；浮游闸极(306)，以包围前述通道区域之外周的方式使穿隧绝缘膜(305)介设配置于其间；控制闸极(308a)，以包围浮游闸极之外周的方式使多晶矽层间(interpoly)绝缘膜(307)介设配置于其间；及控制闸极线(308)，连接于控制闸极，且朝预定方向延伸。浮游闸极系分别延伸至控制闸极之下方及上方区域、以及控制闸极线之下方区域，而在浮游闸极、与控制闸极之上表面、下表面及内侧面之间，及浮游闸极之延伸至控制闸极线之下方区域的部分、与控制闸极线之间，系分别介设配置有多晶矽层间绝缘膜。

主权项

一种非挥发性半导体记忆体电晶体，其特征为具备：岛状半导体，从基板侧依序形成有源极区域、通道(channel)区域及汲极区域；浮游闸极，以包围前述通道区域之外周之方式使穿隧绝缘膜介设配置于其间；控制闸极，以包围前述浮游闸极之外周的方式使多晶矽层间(interpoly)绝缘膜介设配置于其间；及控制闸极线，电性连接于前述控制闸极，且朝预定方向延伸；前述浮游闸极系分别延伸至前述控制闸极之下方区域及上方区域、以及前述控制闸极线之下方区域；在前述浮游闸极、与前述控制闸极之上表面、下表面及内侧面之间，系介设配置有多晶矽层间绝缘膜；前述浮游闸极于延伸至前述控制闸极线之下方区域之部分、与前述控制闸极线之间，系介设配置有多晶矽层间绝缘膜。