| 发明名称 |
含矽之光阻下层膜形成用组成物及图案形成方法 |
| 摘要 |
本发明的目的在于提供一种光阻下层膜，不仅可应用于在负显影中得到的由亲水性有机化合物所形成的光阻图案，而且也可应用于以往的正显影所得到的由疏水性化合物构成的光阻图案。;本发明为一种含矽之光阻下层膜形成用组成物，其系至少包含：含有选自于由下述通式(1)所示的有机硼化合物及其缩合物组成的群组中之化合物(A)一种以上、以及下述通式(2)所示的矽化合物(B)一种以上之混合物的缩合物及/或水解缩合物；;R1m0B(OH)m1(OR)(3-m0-m1) (1);R10m10R11m11R12m12Si(OR13)(4-m10-m11-m12) (2)。 |
| 申请公布号 |
TWI457710 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
| 申请号 |
TW101144756 |
申请日期 |
2012.11.29 |
| 申请人 |
信越化学工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
荻原勤;上田贵史;八木桥不二夫 |
| 分类号 |
G03F7/075;G03F7/039;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/075 |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
| 主权项 |
一种含矽之光阻下层膜形成用组成物，其特征为至少包含：含有选自于由下述通式(1)所示的有机硼化合物及其缩合物组成的群组中之化合物(A)一种以上、以及下述通式(2)所示的矽化合物(B)一种以上之混合物的缩合物及/或水解缩合物；R1m0B(OH)m1(OR)(3-m0-m1)(1)(式中，R为碳数1~6的有机基，2个OR亦可键结并形成环状有机基，R1为具有经酸不稳定基取代之羟基或羧基的有机基，2个R1亦可键结并形成环状有机基；m0为1或2，m1为0、1或2，1≦m0+m1≦3；)R10m10R11m11R12m12Si(OR13)(4-m10-m11-m12)(2)(式中，R13为碳数1~6的有机基，R10、R11、R12各别为氢原子、或碳数1~30之1价的有机基，m10、m11、m12为0或1，0≦m10+m11+m12≦3)。 |
| 地址 |
日本 |
