发明名称 具有双股螺旋结构之生物多分子膜层之记忆体元件及其制作方法
摘要 本发明揭露可一次写入并多次读取之记忆体元件及其制作方法。所述记忆体元件之结构包含:一基底、一第一电极、一具有双股螺旋结构之生物多分子膜层、及一第二电极,且具有双股螺旋结构之生物多分子膜层中掺有复数个金属奈米粒子分布于其中。其中,第一电极设置于基底上,具有双股螺旋结构之生物多分子膜层设置于第一电极及基底上方,以及第二电极设置于具有双股螺旋结构之生物多分子膜层上方。当受光照后,此记忆体元件可出现低导电态和高导电态之特性以写入资料,其后,当施加一电压于第一电极及第二电极时,则可读取所写入之资料。
申请公布号 TWI458088 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW101119413 申请日期 2012.05.30
申请人 国立清华大学 新竹市光复路2段101号 发明人 洪毓珏;许惟廷;林庭宇;弗鲁克 莉莉亚娜
分类号 H01L27/24;H01L45/00;C07H19/00 主分类号 H01L27/24
代理机构 代理人 江国庆 台北市松山区光复北路11巷46号11楼
主权项 一种具有双股螺旋结构之生物多分子膜层之记忆体元件,系包含:一基底;一第一电极设置于该基底上;一具有双股螺旋结构之生物多分子膜层,系设置于该第一电极及该基底上方,该具有双股螺旋结构之生物多分子膜层中掺有复数个金属奈米粒子分布于其中;及一第二电极设置于该具有双股螺旋结构之生物多分子膜层上方;其中该具有双股螺旋结构之生物多分子膜层是以紫外光照射1~10分钟。
地址 新竹市光复路2段101号