发明名称 固态摄像装置及其制造方法
摘要 依据实施形态之固态摄像装置,系具备:半导体层,系具有第1及第2区域;设于上述第1区域的画素部;复数个电极,系设于上述第2区域,而且贯穿上述半导体层;及保护环,系设于上述第2区域,而且贯穿上述半导体层,而且用于将上述画素部和上述复数个电极予以电性分离;上述第2区域之半导体层之上面,系较上述第1区域之半导体层之上面低。
申请公布号 TWI458082 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW101107900 申请日期 2012.03.08
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 小池英敏
分类号 H01L27/14;H01L21/28 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种固态摄像装置,其特征为具备:半导体层,系具有第1及第2区域;设于上述第1区域的画素部;复数个电极,系设于上述第2区域,而且贯穿上述半导体层;保护环,系设于上述第2区域,而且贯穿上述半导体层,而且用于将上述画素部和上述复数个电极予以电性分离;上述第2区域之半导体层之上面,系较上述第1区域之半导体层之上面低上述复数个电极及上述保护环,系突出于上述第2区域之半导体层之上面。
地址 日本