发明名称 |
半导体发光元件 |
摘要 |
按实施形态,半导体发光元件具有:第1半导体层,系可放射光;及第2半导体层,系具有与前述第1半导体层彼此相向之第1主面,和与前述第1主面相反侧之第2主面,该第2半导体层于前述第2主面,具有设置复数突起的第1区域,和未设置前述突起的第2区域。更具备:介电体膜,系设于前述突起之至少先端部分;及电极,系设于前述第2区域的上方。 |
申请公布号 |
TWI458122 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
申请号 |
TW101107489 |
申请日期 |
2012.03.06 |
申请人 |
东芝股份有限公司 日本 |
发明人 |
山崎宏德;西川幸江 |
分类号 |
H01L33/06;H01L33/14;H01L33/22 |
主分类号 |
H01L33/06 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种半导体发光元件,其特征为具备:第1半导体层,可放射光;及第2半导体层,系具有与前述第1半导体层彼此相向之第1主面,和与前述第1主面相反侧之第2主面,该第2半导体层于前述第2主面,具有设置复数突起的第1区域,和未设置前述突起的第2区域;及介电体膜,设于前述突起之至少先端部分;及电极,设于前述第2区域的上方;在垂直于前述第2主面的剖面中,前述突起的其中一方之底角系在90度以上,另一方之底角为锐角。 |
地址 |
日本 |