发明名称 无核心基板制造方法
摘要 一种无核心基板,包括具有形成于其中的电镀贯孔之加强件材料(110,210,620)、位于该加强件材料之上的电气绝缘材料(130,230,830)、以及位于该电气绝缘层中的导电材料(140,240,840)。在相同或另一实施例中,用于微电子装置的封装包括具有形成于其中的电镀贯孔(120,320)且进一步具有位于其中的凹部(118,218)之加强件材料层(115,215,615)、位于该加强件材料层之上的增层(150,350,850)、以及附着于该等增层之上的晶粒(370)。该加强件材料层及该等增层形成该封装的无核心基板(100,380,910,920)。该无核心基板具有表面(381),且该晶粒覆盖小于该无核心基板的该表面之全部,使得该表面具有至少一曝露区域(382)。
申请公布号 TWI458399 申请公布日期 2014.10.21
申请号 TW098131770 申请日期 2009.09.21
申请人 英特尔股份有限公司 美国 发明人 摩特森 罗瑟尔;瑟亚库马 马哈迪芬
分类号 H05K1/02;H01L23/492;H05K3/46 主分类号 H05K1/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种无核心基板之制造方法,该方法包含:提供包含以导电膜涂布于两相对侧上之核心材料的初步结构;形成第一导电材料的凸起区域于该导电膜上;形成间隙壁于该导电膜的部分之上;施加加强件材料于与该间隙壁相邻及该第一导电材料的该凸起区域之上;形成贯孔于该加强件材料中,且以第二导电材料电镀该贯孔;形成增层于该间隙壁及该加强件材料之上;将该初步结构分离成第一片段及第二片段;以及自该第一片段及该第二片段中移除该核心材料、该间隙壁、及该导电膜。
地址 美国