利用抗反射涂布（ＡＲＣ）层开口之线宽粗糙度控制

摘要

欲达成上述并根据本发明之目的，提供一种蚀刻设置在图案化遮罩下之抗反射涂布(ARC)层下的蚀刻层之方法。开通该ARC层，并经由该图案化遮罩蚀刻特征到该蚀刻层中。开通该ARC层包括(1)提供包含含卤素气体、COS及含氧气体之ARC开通气体、(2)从该ARC开通气体形成电浆以开通该ARC层以及(3)停止提供该ARC开通气体以停止该电浆。该图案化遮罩可为具有线-间隔图案之光阻(PR)遮罩。该ARC开通气体中之COS减少该蚀刻层之该些图案化特征的线宽粗糙度(LWR)。

主权项

一种蚀刻设置在图案化遮罩下之抗反射涂布(ARC)层下的蚀刻层之方法，该方法包含：开通该ARC层，包含：提供包含含卤素气体、COS及含氧气体之ARC开通气体；从该ARC开通气体形成电浆以开通该ARC层；以及停止提供该ARC开通气体以停止该电浆；以及经由该图案化遮罩蚀刻特征到该蚀刻层中。