一维金属奈米结构之制造方法

摘要

本发明提供一种一维金属奈米结构之制造方法，系利用溅镀方式溅镀一层导电薄膜于一挠性基材上，以形成一导电基材；再将导电基材放置于电镀溶液内进行电化学沈积，使导电基材上形成对应导电薄膜之一维金属奈米线结构。因此，本发明的材料制作不需要复杂的微影蚀刻技术流程、及金属奈米结构粉末混浆涂膜于基材上，即可得到具有高表面积的一维金属奈米线线结构于挠性基材上。

主权项

一种一维金属奈米结构之制造方法，包括下列步骤：提供一挠性基材；溅镀一导电薄膜于该挠性基板上，以形成一导电基材；及将该导电基材放置于电镀溶液内进行电化学沈积，该电镀溶液系包含配制浓度比例范围为1：2：2至1：4：2的HAuCl4(aq)、NaNO3(aq)及CTAC(aq)，该电化学沈积系电镀该导电基材之控制偏压为0.6V至0.75V，电镀温度控制于20℃至30℃，电镀时间为12至48小时，使该导电基材上形成对应该导电薄膜之金奈米线的一维金属奈米线结构。