半导体发光元件

摘要

一种半导体发光元件，包括一基板、一磊晶层以及一干涉薄膜。基板具有相对之第一表面以及第二表面。磊晶层配置于第一表面上。干涉薄膜配置于第二表面上。干涉薄膜由折射率相差至少0.7的多数层第一材质之薄膜以及多数层第二材质之薄膜相互交替堆叠而成。干涉薄膜之反射光谱具有至少一频通带。此至少一频通带允许一特定波长的入射光穿透，例如是中心波长介于532±10nm或1064±10nm之间的入射光，且反射率小于40%。

主权项

一种半导体发光元件，包括：一基板，具有相对之第一表面以及第二表面；一磊晶层，配置于该第一表面上；以及一干涉薄膜，配置于该第二表面上，该干涉薄膜由折射率相差至少0.7的复数层第一材质之薄膜以及复数层第二材质之薄膜相互交替堆叠而成，该干涉薄膜之反射光谱具有至少一频通带，允许一特定波长的入射光穿透，其中，该干涉薄膜包括：第一建设性干涉薄膜，系由厚度为中心波长四分之一的复数层第一材质之薄膜以及复数层第二材质之薄膜相互交替堆叠而成，以形成一第一止频带，该第一止频带禁止波长介于400~500nm之间的入射光穿透；以及第二建设性干涉薄膜，位于该第一建设性干涉薄膜上，该第二建设性干涉薄膜系由厚度为中心波长四分之一的复数层第一材质之薄膜以及复数层第二材质之薄膜相互交替堆叠而成，以形成一第二止频带，该第二止频带禁止波长介于550~700nm之间的入射光穿透。