| 主权项 |
一种单晶型掺硼钻石，系经由微波电浆化学气相沈积法长成，其具有至少约22MPa m1/2的韧性且系经由包含以下步骤之方法生长：i)将钻石晶种放在散热座中，该散热座系由具有高熔点和高导热性的材料制成以使横跨该钻石生长表面的温度梯度最小化；ii)控制该钻石生长表面的温度以致该正在生长的钻石晶体的温度为在约900至1500℃的范围内；及iii)经由微波电浆化学气相沈积法将单晶钻石长在沈积室中的钻石生长表面上，该沈积室包含5至20% CH4/H2、5至20% O2/CH4、0至20% N2/CH4及硼来源；其中该单晶钻石晶种的取向为偏离{100}平面1至15度。 |
