记忆体扭曲之检测

摘要

本发明系关于记忆体扭曲之检测。一个实施例包括根据一第一记忆体单元之一程式化状况将复数个电压中之一者选择性地施加至一第一资料线，其中该第一记忆体单元耦合至该第一资料线及一选定存取线。确定至少部分地由于施加至该第一资料线之该电压及至少该第一资料线与一第二资料线之间的一电容性耦合而对该第二资料线之一影响，其中该第二资料线耦合至一第二记忆体单元，该第二记忆体单元毗邻于该第一记忆体单元，且该第二记忆体单元耦合至该选定存取线。回应于该所确定之影响而在施加至该第二记忆体单元之一后续程式化脉冲期间将一扭曲校正施加至该第二资料线。

主权项

一种用于操作一记忆体装置之方法，其包含：根据一第一记忆体单元之一程式化状况将复数个电压中之一者选择性地施加至一第一资料线，其中该第一记忆体单元耦合至该第一资料线及一选定存取线；确定至少部分地由于施加至该第一资料线之该电压及至少该第一资料线与一第二资料线之间的一电容性耦合对该第二资料线之一影响而不接收指示施加至该第一资料线之该电压之一信号，其中该第二资料线耦合至一第二记忆体单元，该第二记忆体单元毗邻于该第一记忆体单元，且该第二记忆体单元耦合至该选定存取线；及回应于该所确定之影响，在施加至该第二记忆体单元之一后续程式化脉冲期间将扭曲校正施加至该第二资料线。