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Procedimiento para el aislamiento de borde en células solares y para la tercera etapa de un proceso de integración monolítica (P3) de una célula solar de lámina delgada mediante la aplicación de un láser infrarrojo pulsado en picosegundos por la cara activa de la célula, consiguiendo así la eliminación de las capas de material semiconductor tipo p y del tipo n y de la capa del óxido transparente conductor (TCO) que forman parte de la célula solar, dejando al aire el contacto trasero de la misma, sin dañar capa barrera y/o sustrato. |
