| 摘要 |
1. Подложка со схемой, содержащая:подложку, включающую в себя поверхность, со сформированными на ней первой областью и второй областью, ислой схемы, сформированный в первой области, из указанных первой и второй областей, при этомуказанный слой схемы, представляет собой слой схемы проводников или прозрачный электрод, причемпервая область имеет выпукло/вогнутую форму, в которой возникает капиллярное явление, ивыпукло/вогнутая форма включает в себя совокупность множества структур.2. Подложка со схемой по п.1,в которой угол контакта, при капельном нанесении на первую область композиции формирования слоя схемы для формирования слоя схемы, составляет 120 градусов или более, аугол контакта, при капельном нанесении на вторую область композиции для формирования слоя схемы, составляет 95 градусов или более.3. Подложка со схемой по п.1,в которой шаг размещения структур равен или более 150 нм и равен или менее 1 мкм, акоэффициент пропорциональности структур равен или более 1,0 и равен или менее 3,0.4. Подложка со схемой по п.1,в которой при нанесении композиции формирования слоя схемы для формирования слоя схемы, в качестве покрытия на поверхность подложки, композицию формирования слоя схемы, нанесенную в виде покрытия, оставляют на постоянно только в первой области.5. Подложка со схемой по п.1,в которой, посредством выпукло/вогнутой формы, возникает явление капиллярности в композиции формирования слоя схемы для формирования слоя схемы.6. Подложка со схемой по п.1,в которой вторая область обладает отталкивающими к жидкости свойствами в отношении композиции формирования слоя схемы для формирования слоя схемы.7. Подложка со схемой по п. |
