发明名称 MuGFET mit erhöhter Wärmemasse und Verfahren zum Herstellen von diesem
摘要 Halbleiter (10), umfassend:–eine Source-Zone (16);–eine Drain-Zone (12);–eine Anordnung von Finnen (18), die mit einer Gate-Zone (22) operativ gekoppelt sind, welche dazu ausgebildet ist, den Stromfluss durch die Finnen (18) zwischen der Source-Zone (16) und der Drain-Zone (12) zu steuern, und–mindestens ein Kühlelement (30; 40), das wenigstens zum Teil aus einem Material geformt ist, das eine Wärmekapazität hat, die größer ist als die Wärmekapazität des Materials der Source-Zone, der Drain-Zone und der Anordnung von Finnen, wobei das Kühlelement sich in nächster Nähe zu den Finnen (18) der Firmenanordnung befindet und von den Finnen (18), der Source-Zone (16), der Drain-Zone (12) und der Gate-Zone (22) elektrisch isoliert ist und wobei das mindestens eine Kühlelement (30; 40) ein Balken- bzw. Stabkontakt (30; 40) ist, der sich quer zu und oberhalb von wenigstens zwei Firmen (18) der Finnenanordnung befindet.
申请公布号 DE102007054058(B4) 申请公布日期 2014.10.16
申请号 DE20071054058 申请日期 2007.11.13
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 GOSSNER, HARALD;RUSS, CHRISTIAN;SCHNEIDER, JENS;SCHULZ, THOMAS
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L23/367 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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