发明名称 | 形成掺杂区图案的方法;METHOD OF FORMING PATTERN OF DOPED REGION | ||
摘要 | 一种形成掺杂区图案的方法,包括下列步骤。首先,提供一元件布局图案包括一闸极布局图案以及一掺杂区布局图案予一电脑系统。接着,将元件布局图案分割为复数个子区域,其中各子区域具有不同的闸极布局图案之一图案密集度。随后,分别对各子区域的掺杂区布局图案进行至少一次光学邻近修正(optical proximity correction,OPC)运算,以在各子区域分别形成一修正的子掺杂区布局图案。最后,合并各修正的子掺杂区布局图案以形成一已修正的掺杂区布局图案,且由电脑系统输出已修正的掺杂区布局图案至一光罩。 | ||
申请公布号 | TW201440128 | 申请公布日期 | 2014.10.16 |
申请号 | TW102113281 | 申请日期 | 2013.04.15 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李易修;胡国信;刘侨原;王彦盛 |
分类号 | H01L21/266(2006.01);G03F1/36(2012.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |