发明名称 具有本体接触之鳍式场效电晶体及其形成方法;FINFET DEVICES HAVING A BODY CONTACT AND METHODS OF FORMING THE SAME
摘要 本发明涉及具有本体接触的鳍式场效电晶体(FinFET)装置及其形成方法,此处提供鳍式场效电晶体装置及形成方法。在实施例中,鳍式场效电晶体装置包含具有鳍部的半导体基板。闸极电极结构覆盖在该鳍部上面。源极和汲极环状及/或延伸区域及磊晶生长的源极区域和汲极区域形成在该鳍部中,并且邻近该闸极电极结构而设置。本体接触设置在该鳍部的接触表面上,并且该本体接触与该环状及/或延伸区域及该磊晶生长的源极区域和汲极区域分离地隔开。
申请公布号 TW201440223 申请公布日期 2014.10.16
申请号 TW103106679 申请日期 2014.02.27
申请人 格罗方德半导体公司 发明人 刘海燕;哈葛乐夫 米迦勒;葛鲁恩史尔德 克里斯丁
分类号 H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 <name>洪武雄</name><name>陈昭诚</name>
主权项
地址 美国