低应力之磊晶用的矽晶圆

摘要

一种低应力之磊晶用的矽晶圆包含:矽基板、形成于矽基板上的第一矽磊晶层,及形成于第一矽磊晶层上的第二矽磊晶层。矽基板含有一选自硼或磷的掺质,且掺质浓度为100X at%。第一矽磊晶层含有矽基板之掺质与锗且具有相反的第一、二侧部,第一侧部邻近矽基板,前述掺质浓度是实质等于矽基板中掺质之浓度,前述锗浓度是自第一侧部朝第二侧部由0 at%递增至100Y at%。第二矽磊晶层含有第一矽磊晶层之掺质与锗,且掺质之浓度实质等于第一矽磊晶层中掺质之浓度,锗之浓度实质等于第一矽磊晶层的第二侧部中锗之浓度。