| 摘要 |
描述包含基于嵌入式SONOS之非挥发性记忆体(NVM)及MOS电晶体的记忆体单元以及形成该记忆体单元的方法。概括而言,该方法包含:形成一介电堆叠于一基板之上,该介电堆叠包含一穿隧介电质于该基板之上以及一电荷捕捉层于该穿隧介电质之上;图案化该介电堆叠以在该基板之一第一区域之中形成一记忆体装置之一NVM电晶体之一闸极堆叠,同时并行地自该基板之一第二区域移除该介电堆叠;以及执行一基准CMOS产制流程中之一闸极氧化制程,以热生长一MOS电晶体之一闸极氧化物,叠覆于该第二区域中的基板上,同时并行地生长一阻隔氧化物,叠覆于该电荷捕捉层之上。在一实施例之中,铟被植入以形成该NVM电晶体之一通道。 |
