| 摘要 |
本发明之观察装置10A包含：雷射光源18；扫描光学系统16，其将自雷射光源18所输出之雷射光照射至半导体装置32；偏压电源22，其对半导体装置32之电极间施加特定电压即反向偏压电压；感测器24，其检测由雷射光引起而产生于半导体装置32之电性特性；及控制系统28，其基于来自感测器24之检测信号产生半导体装置32之电性特性图像。偏压电源22对半导体装置32阶段性增加特定电压之大小直至达到会产生雪崩放大作用之电压。而且，当增加特定电压增加时，扫描光学系统16照射雷射光，感测器24检测电性特性，控制系统28产生电性特性图像。藉此，实现可正确获知电场集中部位之电场集中位置观察装置及观察方法。 |
