| 发明名称 |
钽溅镀靶及其制造方法 |
| 摘要 |
一种钽溅镀靶，于其溅镀面，平均结晶粒径在50μm以上150μm以下，且结晶粒径之变动在30μm以下。一种钽溅镀靶，于其溅镀面，(200)面之位向率超过70%，且(222)面之位向率在30%以下，平均结晶粒径在50μm以上150μm以下，且结晶粒径之变动在30μm以下。藉由控制靶之结晶粒径或结晶粒径与结晶位向，而具有下述效果：降低钽溅镀靶之放电电压，使电浆容易产生，且抑制成膜中之电压的起伏变动。 |
| 申请公布号 |
TW201439334 |
申请公布日期 |
2014.10.16 |
| 申请号 |
TW102145543 |
申请日期 |
2013.12.11 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司; METALS CORPORATION |
发明人 |
仙田真一郎;永津光太郎 |
| 分类号 |
C22C27/02(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/14(2006.01);B21J5/00(2006.01);C21D1/26(2006.01);C21D9/00(2006.01);H01L21/285(2006.01) |
主分类号 |
C22C27/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>阎启泰</name><name>林景郁</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
