发明名称 |
Herstellungsverfahren für elektrisches Bauteil und Elektrodenaufbau |
摘要 |
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauteil zur Verfügung zu stellen, das dazu imstande ist, eine Verkleinerung einer Grabenöffnung zu unterdrücken und die Diffusion einer in einem Graben eingebetteten Metallschicht zu unterdrücken. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils mit den Schritten: Ausbilden einer ersten Elektrodenbildungsschicht (z. B. einer TiAl-Schicht) in einer Vertiefung (z. B. einem Graben), die in einem Werkstück ausgebildet ist; Ausbilden einer ultradünnen Sperrschicht (z. B. einer TiAlN-Schicht), indem durch Plasmanitrieren einer Oberfläche der ersten Elektrodenbildungsschicht eine Nitrierschicht ausgebildet wird; und Ausbilden einer zweiten Elektrodenbildungsschicht (z. B. einer Al-Verdrahtungsschicht) auf der ultradünnen Sperrschicht. |
申请公布号 |
DE112012005736(T5) |
申请公布日期 |
2014.10.16 |
申请号 |
DE20121105736T |
申请日期 |
2012.09.25 |
申请人 |
CANON ANELVA CORPORATION |
发明人 |
MATSUO, AKIRA;SHIBUYA, YOHSUKE;KITANO, NAOMU;MORIMOTO, EITAROH;YAMAZAKI, KOJI;SATO, YU;SEINO, TAKUYA |
分类号 |
H01L21/285;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/285 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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