| 摘要 |
本发明系一种半导体装置,其中,半导体装置(SC)系经由分割曝光而形成有1个之晶片范围之半导体装置。层间绝缘膜(II2~II6)系在元件形成范围中,具有贯孔(VH1~VH5)与配线沟(IT1~IT5),且在保护圈范围中具有保护圈用孔(GH2~GH6)。配线用导电层(CL1~CL5)系形成于贯孔(VH1~VH5)及配线沟(IT1~IT5)内。保护圈用导电层(GRP2~GRP6)系形成于保护圈用孔(GH2~GH6)内。保护圈用导电层(GRP3~GRP6)之宽度的最小尺寸(D2A~D5A)系较在贯孔(VH2~VH5)内之配线用导电层(CL2~CL5)之宽度的最小尺寸(D2B~D5B)为大。 |
