制备多组分膜的方法

摘要

本文描述了用于沉积多组分膜的方法和前体组合物。在一个实施方式中，本文描述的方法和组合物用于经由原子层沉积(ALD)来沉积含锗膜例如锗碲、锑锗和锗锑碲(GST)膜和/或用于沉积用于相变存储器和光电设备的其他基于锗、碲和硒的金属化合物。在这个或其他实施方式中，所使用的Ge前体包含三氯锗烷。

主权项

将多组分膜沉积在至少一部分基底上的方法，包括以下步骤：a）将基底与包含HGeCl₃的Ge前体接触，以与所述基底反应并提供包含Ge的第一涂层；b）引入吹扫气体以去除任何未反应的Ge前体；c）将所述包含Ge的第一涂层与包含Te前体的Te前体接触，其中所述Te前体的至少一部分与包含在其中的Ge反应，以提供包含Ge和Te的第二涂层；d）引入吹扫气体以去除任何未反应的Te前体；e）将所述包含Ge和Te的第二涂层与Sb前体接触，其中所述Sb前体的至少一部分与包含在其中的Ge和Te的至少一部分反应，以提供包含Ge、Te和Sb的第三涂层；和f）引入吹扫气体以去除任何未反应的Sb前体。其中重复步骤(a)至(f)以形成多个涂层并提供所述膜。