一种用于溅射系统上提高薄膜均匀性的装置

摘要

本实用新型提供了一种用于溅射系统上提高薄膜均匀性的装置，该装置包括以下部分：真空腔室；靶材，位于所述真空腔室内上部的位置；晶圆载台，位于所述真空腔室内底部的位置；进气圆环，位于所述真空腔室内中部的位置，并于反应气体管路相连；反应气体管路，与进气圆环相连，用于通过进气圆环来向真空腔室内输入反应气体。相应地，本实用新型还提供了一种用于溅射系统上提高薄膜均匀性的方法。通过采用本实用新型所提供的装置，使反应气体从进气圆环内壁均匀流出，使得真空腔室的反应气体密度达到均匀分布效果，从而有效提高半导体薄膜的均匀性。

主权项

一种用于溅射系统上提高薄膜均匀性的装置，该装置包括以下部分：真空腔室(1)；靶材(2)，位于所述真空腔室(1)内上部的中央位置；晶圆载台(3)，位于所述真空腔室(1)内底部的中央位置；进气圆环(4)，位于所述真空腔室(1)内中部的中央位置，并与反应气体管路(5)相连；反应气体管路(5)，与进气圆环相连，用于通过进气圆环来向真空腔室(1)内输入反应气体。