半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的一个目的是提供包括电特性稳定的薄膜晶体管的高可靠的半导体器件。此外，另一目的是以低成本高生产率制造高可靠的半导体器件。在包括薄膜晶体管的半导体器件中，利用添加了金属元素的氧化物半导体层形成薄膜晶体管的半导体层。作为金属元素，使用铁、镍、钴、铜、金、锰、钼、钨、铌以及钽金属元素中的至少一种。此外，该氧化物半导体层包括铟、镓以及锌。

主权项

一种半导体器件，包括：栅电极层；源电极层；漏电极层；包括包含铟、镓以及锌的沟道形成区的第一氧化物半导体层；置于所述栅电极层和所述第一氧化物半导体层之间的栅绝缘层；在所述第一氧化物半导体层与所述源电极层之间的第二氧化物半导体层；以及在所述第一氧化物半导体层与所述漏电极层之间的第三氧化物半导体层，其中所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层分别包含铟、镓以及锌，其中所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层分别包括非晶结构中的晶粒，其中所述沟道形成区包含从由铁、镍、钴、铜、金、锰、钼、钨、铌以及钽组成的组中选择的至少一种金属元素，且其中所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层具有n型导电性。