| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有半导体元件、被连接部件和连接所述被连接部件的连接部件，且所述连接部件为钎料，所述被连接部件在与所述连接材料连接的表面上形成有所述Ni层，所述连接部件为Sn类钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述被连接部件连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102324405B | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201110265728.3 | 申请日期 | 2006.08.08 |
| 申请人 | 株式会社日立功率半导体 | 发明人 | 池田靖;中村真人;松吉聪;佐佐木康二;平光真二 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;B23K35/26(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有半导体元件、被连接部件和连接所述被连接部件的连接部件，且所述连接部件为钎料，所述被连接部件在与所述连接部件连接的表面上形成有Ni层，所述连接部件为Sn‑Cu二相钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，所述Sn‑Cu二相钎料是Cu6Sn5相含量比共晶组成多的钎料，所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述被连接部件连接。 | ||
| 地址 | 日本茨城 | ||