| 发明名称 | 半导体装置及半导体模块 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体装置及半导体模块。所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104103638A | 申请公布日期 | 2014.10.15 |
| 申请号 | CN201410105617.X | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 白圣权;南甲镇;金珍石;闵智英;郑恩爱 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;王占杰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||