具有结型场效应晶体管的三维可变电阻存储器件及其驱动方法

摘要

本发明提供了一种具有结型FET的3D可变电阻存储器件及其驱动方法。所述可变电阻存储器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的存储串选择开关。沟道层形成在列存储串选择开关上。多个栅极沿着沟道层的长度层叠，并且每个栅极与沟道层的外侧接触。可变电阻层形成在沟道层的内侧上，并且与沟道层接触。

主权项

一种可变电阻存储器件，包括：半导体衬底；存储串选择开关，所述存储串选择开关形成在所述半导体衬底上；沟道层，所述沟道层形成在所述列存储串选择开关上；多个栅极，所述多个栅极沿着所述沟道层的长度层叠，其中，每个所述栅极与所述沟道层的外侧接触；以及可变电阻层，所述可变电阻层形成在所述沟道层的内侧上，其中，所述可变电阻层与所述沟道层接触。